Các bác sĩ của Trường Đại học Nghiên cứu Hạt nhân Quốc gia Nga MEPhI đã chế tạo một loạt bàn phim siêu mỏng đa lớp có thể tạo cơ sở cho ngành điện tử và năng lượng tương lai.
Kết quả đã đạt được nhờ các cuộc nghiên cứu làm sáng tỏ cơ hội của quá trình tổng hợp nhiệt của các cấu trúc dị hóa căn cứ trên chuyển đổi kim loại dichalcogenides (TMDCs) MoS2, WS2, MoSe2 và WSe2.
Các bàn phim siêu mỏng của disulfua và diselenides của các kim loại chuyển tiếp (ví dụ, molypden và vonfram) có đặc trưng hấp thụ ánh sáng khá thành công. Lý do của điều đó là các tinh khả năng của TMDCs có kích thước rất nhỏ vì thế sự hấp thụ ánh sáng có khả năng diễn ra mà không có sự tham gia của phonon - dao động mạng.
Đồng thời, trên bề mặt các tinh nguy cơ nano có thể tạo ra cơ hội để phân tách các phân tử nước thành hydro và oxy. Nhờ đó các bàn phim TMDCs siêu mỏng có triển vọng đầy hứa hẹn trong phản ứng xúc tác quang hoá cũng như để tạo ra rất nhiều thiết bị quang điện tử tiên tiến - từ bộ tách sóng quang tới bộ chuyển đổi quang điện.
Bàn phim siêu mỏng của disulfua và diselenides có đặc trưng hấp thụ ánh sáng khá hiệu quả.
"Điều quan trọng là tạo ra bàn phim đa lớp bằng phương pháp xác định điều kiện cần thiết để tất cả những lớp TMDCs không gây thiệt hại cho lớp màng mỏng bằng một vật liệu TMDCs khác đã được áp dụng trước đó. Chúng tôi đã nghiên cứu các điều kiện để tạo ra màng TMDCs siêu mỏng chất lượng rất cao bằng kỹ thuật điều trị nhiệt hóa các mức phí chất màng mỏng kim loại và oxit kim loại Mo và W trong hơi sulfur hoặc hơi selen, cũng như trong khí hydrogen sulfide", kỹ sư Dmitry Fominsky từ Đại học MEPhI, chuyên trong lĩnh vực lắng đọng xung laser màng mỏng và cấu trúc nano, nói với Sputnik.
Theo ông, những bàn phim đó đã được nghiên cứu có sử dụng các biện pháp hiện đại: kính hiển vi điện tử quét, quang phổ Raman, quang phổ quang điện tử tia X. Kết quả nghiên cứu cho biết rằng, quá trình biến đổi bàn phim chứa Mo trong hơi lưu huỳnh hoặc hydrogen sulfide phụ thuộc vào trạng thái hóa học của "tiền thân" ban đầu, được tạo ra bằng cách lắng đọng bằng xung laser.
Việc sử dụng biện pháp lắng đọng bằng xung laser cho phép tạo ra "phôi tấm"của bàn phim với độ dày và thành phần hóa học nhất định. Điều đó đã giúp những nhà khoa học xác định những điều kiện cần thiết để sunfua hóa thành công những phim Mo và MoOx để tạo ra bàn phim siêu mỏng MoS2 tại nhiệt độ dưới 500°C.
"Chúng tôi cũng đã tạo ra được những bàn phim từ kim loại chuyển tiếp, ví dụ, lớp vonfram diselenide, với mạng tinh nguy cơ 2H hoàn hảo. Kết quả nghiên cứu cho phép tạo ra màng bán dẫn siêu mỏng loại Mo (W) SxSe2-x, có các đặc tính hữu ích được điều chỉnh vì nồng độ kim loại (W / Mo) và chalcogens (S/Se)", chuyên gia Dmitry Fominsky cho nhận thấy.
Nhóm các nhà khoa học đã công bố kết quả nghiên cứu tại Hội thảo quốc tế lần thứ 16 "Vật liệu mới: Nhiên liệu hạt nhân có sức chịu đựng cao". Họ lưu ý rằng, các cơ hội về công nghệ và nhiệt độ trong quá trình xuất phát molypden sulfua và selenua vonfram khá giống nhau. Thế nhưng, theo các bác sĩ của Đại học MEPhI, nếu sử dụng các tiền chất (kim loại, oxit kim loại) và phương tiện hoạt động chứa chalcogen, thì có khả năng lựa chọn các cơ hội cần thiết để tạo ra bàn phim siêu mỏng với những đặc tính cấu trúc và hóa học cụ thể.
Tại những bàn phim có thể hoạt động như chất xúc tác quang học- trong tương lai phát minh này sẽ giúp chiết xuất hiệu quả hơn các thành phần nhiên liệu mặt trời (hydro và oxy) từ nước, mà không sử dụng vật liệu đắt mức giá bằng các kim loại nhóm bạch kim.
0 Nhận xét:
Đăng nhận xét